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机译:电阻切换存储器单元不是忆阻器的实验证据
Jinsun Kim; Yuriy V. Pershin; Ming Yin; Timir Datta; Massimiliano Di Ventra;
机译:电阻开关记忆是忆阻器
机译:光入射角可切换ZnO纳米棒忆阻器:两个非易失性存储设备之间的可逆切换行为
机译:基于忆阻器的随机存取存储器:延迟的开关效应可能会彻底改变存储器设计
机译:栅极控制电阻切换存储器的实验性和仿真研究
机译:Ag-Ag2S-Ag忆阻器中的不对称感应电阻切换可简化原子级存储器设计
机译:基于忆阻器的存储电路,用于使用电容器读出忆阻器的电阻而不会出现电阻漂移
机译:基于存储器的存储器电路,用于在不使用电容器的电阻漂移的情况下读出存储器的电阻
机译:存储元件,即用于电阻RAM的双极型开关存储元件,具有与另一个存储单元串联的存储单元,其中每个单元均表现出两种稳定状态,分别具有高和低电阻
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