机译:从间接Euga2S4到直接Euznges4半导体的带隙调整:合成,晶体和电子结构,以及光学性质
机译:从间接EuGa 2 sub> S 4 sub>到直接EuZnGeS 4 sub>半导体的带隙调谐:合成,晶体和电子结构以及光学性质
机译:半金属ScAs和间接带隙半导体ScN和GdN的电子结构和光谱
机译:光学带隙的调谐:CsLnZnSe(3)的合成,结构,磁性和光学性质(Ln = Sm,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb和Y)
机译:Ge
机译:窄带隙半导体和伪间隙系统的电子结构和热电性能。
机译:苯并噻二唑对C–H硼酸酯化反应增强供体-受体有机半导体中的电子亲和力并调整带隙
机译:错误到:2D六边形SNTE单层:Quasi直接带隙半导体,具有应变敏感的电子和光学特性
机译:具有量子限制结构的间接带隙半导体的发光增强。