机译:表面极性对氮化铬缓冲层在6H-SiC上GaN氢化物气相外延生长的影响
机译:6H-SiC(0001)的表面腐蚀和随后生长的GaN的表面形貌
机译:6H-SiC(0001)的表面腐蚀和随后生长的GaN的表面形貌
机译:表面制备对MOCVD沉积6H-SiC上外延GaN的影响
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:6H-SiC表面重构对GaN分子束外延生长中AlN缓冲层晶格弛豫的影响