Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках

摘要

В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состоянияudграниц зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциальногоudбарьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов.