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【2h】

Comparison of Various Body Contact MOSFETs on Single Event Transients in 130 nm Partially Depleted SOI Process

机译：在130nm部分耗尽的SOI过程中对单个事件瞬变进行各种机构触点MOSFET的比较

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1. Comparison of single-event transients of T-gate core and IO device in 130 nm partially depleted silicon-on-insulator technology [J] . Chen Zhuojun, Dai Ruofan, Lin Min, IEICE Electronics Express . 2016,第12期

机译：在130 nm部分耗尽绝缘体上硅技术中T栅极内核和IO设备的单事件瞬变的比较
2. Compact model for single event transients and total dose effects at high temperatures for partially depleted SOI MOSFETs [J] . J. Alvarado, E. Boufouss, V. Kilchytska, Microelectronics & Reliability . 2010,第9a11期

机译：紧凑模型，用于部分耗尽的SOI MOSFET在高温下的单事件瞬态和总剂量效应
3. A Tunnel Diode Body Contact Structure to Suppress the Floating-Body Effect in Partially Depleted SOI MOSFETs [J] . Chen J., Luo J., Wu Q., Electron Device Letters, IEEE . 2011,第10期

机译：隧道二极管主体接触结构可抑制部分耗尽的SOI MOSFET的浮体效应
4. A novel salicide body-contacted structure for partially depleted SOI nMOSFETs [C] . Liu Yunlong, Liu Xinyu, Zhang Zhiyong . 2001

机译：用于部分耗尽SOI nMOSFET的新型自对准硅化物接触结构
5. Area efficient body contact for partially depleted silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs. [D] . Daghighi, Arash. 2004

机译：适用于部分耗尽型绝缘体上硅（SOI）MOSFET的面积有效体接触。
6. Study on the Thermal Conductivity Characteristics for Ultra-Thin Body FD SOI MOSFETs Based on Phonon Scattering Mechanisms [O] . Guohe Zhang, Junhua Lai, Yali Su, 2019

机译：基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
7. DC and Large-Signal Microwave MOSFET Model Applicable to Partially-Depleted, Body-Contacted SOI Technology [O] . Darren R. Burke, Majid El Kaamouchi, Danielle Vanhoenacker-janvier, 2013

机译：直流和大信号微波MOSFET模型，适用于部分耗尽，体接触式SOI技术

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