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机译:通过激光辅助各向异性化学蚀刻的MOS2的位点选择性原子层精密变薄
机译:原子薄MoS2的各向异性蚀刻
机译:从薄膜到原子层的迁移—原子层蚀刻
机译:使用由MoS2,石墨烯和MoS2 /石墨烯复合材料的原子薄2D结构制成的电极分析电化学储能。
机译:MoS2的原子层软等离子体刻蚀
机译:高精度激光诱导多层MOS2的蚀刻
机译:化学气相沉积法生长mos2原子层的应变和结构非均匀性。
机译:不用氧化硅的活化,各向异性原子层蚀刻的方法和蚀刻设备
机译:使用通过覆盖层的原子层掺杂形成的蚀刻停止层,对有源发射极区,特别是高速双极晶体管的有源发射极区中的硅层进行化学湿化
机译:最小化物理和电气损伤时能覆盖部分石墨烯的石墨烯原子层刻蚀方法,包括重叠的多层石墨烯的薄膜
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