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机译:将InGaAs和Gaassb变质缓冲层对GaAs底物进行了inaS量子点,其在1.55μm下发射
机译:高功率氮化铟镓/氮化镓多量子阱蓝色LED的制造
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机译:在Al0.3Ga0.7as底物上沉积的GaAs膜中量子限制和极化效果的有效长度