首页> 外文OA文献 >Experimental and simulation studies of radiation‐induced single event burnout in SiC‐based power MOSFETs

【2h】

Experimental and simulation studies of radiation‐induced single event burnout in SiC‐based power MOSFETs

机译：基于SIC的功率MOSFET中辐射诱导的单事件烧坏的实验和仿真研究

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Chao Peng; Zhifeng Lei; Ziwen Chen; Shaozhong Yue; Zhangang Zhang; Yujuan He; Yun Huang;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2021
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Experimental and simulation studies of neutron-induced single-event burnout in SiC power diodes [J] . Tomoyuki Shoji, Shuichi Nishida, Kimimori Hamada, Japanese journal of applied physics . 2014,第4S期

机译：SiC功率二极管中子引起的单事件燃尽的实验和模拟研究
2. Experimental and 2D simulation study of the single-event burnout in N-channel power MOSFETs [J] . Roubaud F., Dachs C. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1993,第6期

机译：N沟道功率MOSFET单事件烧毁的实验和二维仿真研究
3. Mechanisms of Heavy Ion-Induced Single Event Burnout in 4H-SiC Power MOSFETs [J] . Joseph McPherson, Collin Hitchcock, T. Paul Chow, Materials science forum . 2020,第期

机译：4H-SIC电源MOSFET中重离子诱导的单事件烧坏机制
4. Mechanisms of Heavy Ion-Induced Single Event Burnout in 4H-SiC Power MOSFETs [C] . Joseph McPherson, Collin Hitchcock, T. Paul Chow, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials . 2020

机译：4H-SIC功率MOSFET中重离子诱导的单一事件烧坏机制
5. 7.2 kV Solid State Transformer Based on 15 kV SiC MOSFETs and A Novel Single Stage AC-AC Converter [D] . Zhu, Qianlai. 2018

机译：基于15 kV SiC MOSFET和新型单级AC-AC转换器的7.2 kV固态变压器
6. Radiation Response of Negative Gate Biased SiC MOSFETs [O] . Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Shuichi Okubo, 2019

机译：负栅偏置SiC MOSFET的辐射响应
7. Ion-Induced Energy Pulse Mechanism for Single-Event Burnout in High-Voltage SiC Power MOSFETs and Junction Barrier Schottky Diodes [O] . D. R. Ball, J. M. Hutson, A. Javanainen, 2020

机译：高压SiC电源MOSFET中单事件烧坏的离子诱导能量脉冲机制及结屏障肖特基二极管

Experimental and simulation studies of radiation‐induced single event burnout in SiC‐based power MOSFETs

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅