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机译:探讨高居里温度Mn GE1-稀释磁半导体,用于室温闪奖应用
Tianxiao Nie; Jianshi Tang; Kang L. Wang;
机译:宽带隙稀磁半导体(Ga,Mn)N中的超顺磁性阻挡现象和室温铁磁性
机译:室温局部铁磁性及其在铁磁半导体Ge1-xFex中的纳米级扩展
机译:自旋电子学应用Fe,Co,Ni掺杂的ZnO基稀磁半导体的光催化响应
机译:稀释的磁性III-V半导体,用于MN,用于可能的旋转式应用
机译:用于自旋电子学的新型宽带隙室温铁磁半导体的生长。
机译:室温稀释的磁性半导体p-(Ga,Ni)N
机译:降低CPP,TMR,MRAM或其他自旋电子器件应用中类似Co2MnSi的Heusler合金的有序温度的新颖方法
机译:混合双量子盘结构,包括一个稀释的磁半导体和一个非磁半导体,以及一个自旋的量子态控制结构和方法,该方法利用了将电磁场稀释的电磁场的磁能级反演现象
机译:室温铁磁半导体层,包含相同层的电子设备以及形成相同层的方法
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