机译:具有负差分跨导和负差分电导的场致带间隧穿效应晶体管(FITET)
机译:考虑负差分跨导(NDT)的隧道场效应晶体管(TFET)的设计指南
机译:硅量子阱金属氧化物半导体场效应晶体管中负微分跨导的栅极长度和温度依赖性
机译:用Ta / sub 2 / O / sub 5 /栅极电介质制造的金属氧化物半导体场效应晶体管中的负跨导效应
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于MoSe2 /硅异质结的超快宽带光电探测器具有石墨烯作为透明电极的垂直站立的分层结构
机译:超薄MOSE2层中的场效应晶体管和内在移动性
机译:实空间转移的集合蒙特卡罗模拟(NERFET /正泰)(负差分电阻场效应晶体管/电荷注入晶体管)器件