机译:注释“GaAs Schottky Barrier”的电流 - 电压特性和接口状态密度“物理。 Lett.62,2560(1993)
机译:回应“关于'扩大金属氧化物半导体导纳特性的评论:测量,来源及其对界面态密度分析的影响” [J.应用物理112,076101]
机译:评述“金属氧化物半导体导纳特性的拓宽:测量,来源及其对界面态密度分析的影响” [J.应用物理110,114115(2011)]
机译:Au / InGaAs / n-GaAs肖特基势垒二极管的电流-电压(I-V)特性
机译:AU / P-GAASN肖特基势垒二极管电流 - 电压特性的温度依赖性,具有小的N个含量
机译:通过电流-电压,电容-电压和内部光发射法测量的四个氢和六个氢碳化硅的(0001),(0001bar),(11bar00)和(12bar10)晶面的肖特基势垒。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:评论“使用钒作为屏障金属具有高电流密度的肖特基屏障整流器”Appl。物理。 Lett。,79,860(2001)
机译:利用导纳技术测量Gaas肖特基势垒的界面态:与势垒高度不稳定性的关系