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【2h】

Comment on “Schottky barrier rectifier with high current density using vanadium as barrier metal” Appl. Phys. Lett., 79, 860 (2001)

机译：评论“使用钒作为屏障金属具有高电流密度的肖特基屏障整流器”Appl。物理。 Lett。，79,860（2001）

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作者
Yu-Long Jiang; Guo-Ping Ru; Xin-Ping Qu; Bing-Zong Li;
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作者单位

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年度 2003
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