机译:Si(100)表面生长的ALD和MOCVD薄膜HfO_2薄膜的X射线光谱检查
机译:使用新的醇盐前体3-甲基-3-五氧化H Hf(mp)(4)的二氧化ha薄膜的ALD
机译:ALD在100℃和350℃之间生长的HfO_2薄膜的层生长速率,厚度均匀性,化学计量和氢杂质水平的相关性研究
机译:利用HF溶液研究HCPA ALD生长GaN薄膜表面的天然氧化物的研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用超薄Pt催化剂通过PECVD在GaN LED外延片上生长类似于石墨烯的无转移薄膜用于透明电极应用
机译:GaN微电坡嵌入AlGaN / GaN HFET和VO2薄膜偏转传感器的研究
机译:电子转移率与钛上天然和阳极氧化膜状态表面密度的相关性。