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【2h】

HgCdTe Heterostructures Grown by MBE on Si(310) for Infrared Photodetectors

机译：MBE在SI（310）上生长的HGCDTE异质结构用于红外光电探测器

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Maxim Yakushev; Vasily. Varavin; Vladimir Vasilyev; Sergey Dvoretsky; Irina Sabinina; Yuri. Sidorov; Aleksandr Sorochkin; Aleksandr Aseev;
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年度 2011
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