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Modeling the Key Material Properties of Germanium for Device Simulation in Cryogenic Environments

机译：用低温环境模拟锗的关键材料特性

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Luke J. Bradley; Alton B. Horsfall; Angela Dyson;
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2. Modelling of Strained Silicon-Germanium Material Parameters for Device Simulation [J] . B SENAPATI IETE Journal of Research . 2007,第3期

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