首页> 外文OA文献 >Metal/BaTiO3/$eta$-Ga2O3 Dielectric Heterojunction Diode with 5.6 MV/cm Breakdown Field

【2h】

Metal/BaTiO3/$eta$-Ga2O3 Dielectric Heterojunction Diode with 5.6 MV/cm Breakdown Field

机译：金属/ BATIO3 / $ BETA $ -GA2O3电介质异质结二极管，5.6 mV / cm击穿字段

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Zhanbo Xia; Caivu Wang; Hareesh Chandrasekar; Wyatt Moore; Aidan Lee; Nidhin Kurian Kalarickal; Fengyuan Yang; Siddharth Rajan;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2019
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Metal/BaTiO_3/β-Ga_2O_3 dielectric heterojunction diode with 5.7 MV/cm breakdown field [J] . Xia Zhanbo, Chandrasekar Hareesh, Moore Wyatt, Applied Physics Letters . 2019,第25期

机译：金属/ BATIO_3 /β-GA_2O_3电介质异质结二极管，具有5.7 mV / cm击穿场
2. BaTiO_3/Al_(0.58)Ga_(0.42)N lateral heterojunction diodes with breakdown field exceeding 8 MV/cm [J] . Razzak Towhidur, Chandrasekar Hareesh, Hussain Kamal, Applied Physics Letters . 2020,第2期

机译：击穿场超过8 MV / cm的BaTiO_3 / Al_（0.58）Ga_（0.42）N横向异质结二极管
3. β-(Al0.18Ga0.82)2O3/Ga2O3 Double Heterojunction Transistor With Average Field of 5.5 MV/cm [J] . Kalarickal Nidhin Kurian, Xia Zhanbo, Huang Hsien-Lien, IEEE Electron Device Letters . 2021,第6期

机译：β-（AL0.18GA0.82）2O3 / GA2O3双异质结晶体管，平均场为5.5 mV / cm
4. Metal/BaTiO3/$eta$-Ga2O3 Dielectric Heterojunction Diode with 5.6 MV/cm Breakdown Field [C] . Zhanbo Xia, Caivu Wang, Hareesh Chandrasekar, Device Research Conference . 2019

机译：具有5.6 MV / cm的金属/ BaTiO 3 / $ beta $ -Ga 2 O 3 介电异质结二极管击穿场
5. Metal/hydrogenated amorphous silicon/crystalline silicon hetero-structure with directional breakdown: A low-cost, high-density, diode array approach to PROMs. [D] . Zhu, Hong. 2000

机译：具有方向性击穿的金属/氢化非晶硅/晶体硅异质结构：一种低成本，高密度的PROM二极管阵列方法。
6. Proton Irradiation Effects on the Time-Dependent Dielectric Breakdown Characteristics of Normally-Off AlGaN/GaN Gate-Recessed Metal-Insulator-Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistors [O] . Dongmin Keum, Hyungtak Kim 2019

机译：质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
7. Ga2O3(Gd2O3)/Si3N4 dual-layer gate dielectric for InGaAs enhancement mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with channel inversion [O] . Zheng J. F. 2011

机译：用于具有沟道反转的InGaAs增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管的Ga2O3（Gd2O3）/ Si3N4双层栅极电介质
8. Theory for the Comparative RF Surface Fields at Destructive Breakdown for Various Metals [R] . Wilson, P. 2006

机译：各种金属破坏性击穿中比较射频表面场的理论

Metal/BaTiO3/$eta$-Ga2O3 Dielectric Heterojunction Diode with 5.6 MV/cm Breakdown Field

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅