机译:钨烯丙基酰亚胺络合物Cl4(RCN)W(NC3H5)作为Wnxcy薄膜的单源CVD前体。前体碎片对膜性质的相关性
机译:烯丙基铝钨络合物Cl-4(RCN)W(NC3H5)作为WNxCy薄膜的单源CVD前驱物。前驱物碎片与薄膜性能的相关性
机译:Cl-4(PhCN)W(NPh)作为用于沉积氮化钨(WNx)薄膜的单源MOCVD前驱体
机译:N-(二烷基氨基甲硫酰基)-硝基取代的苯甲酰胺的对称和不对称镍(II)络合物作为单源前体,用于通过ACVD沉积硫化镍纳米结构薄膜(vol 85,pg 267,2015)
机译:从钨哌啶基肼络合物CL_4(CH_3CN)W(N-PIP)的沉积Wnxcy作为单源前体
机译:从单源前驱体化学气相沉积氧化钨薄膜。
机译:WNxCy薄膜化学气相沉积前驱体钨基氨基胍基胍基钨配合物的合成与表征
机译:钨烯丙基酰亚胺络合物Cl4(RCN)W(NC3H5)作为Wnxcy薄膜的单源CVD前体。前体碎片对膜性质的相关性
机译:基于空间阻碍的配位体来自单源前体的II-VI薄膜的生长