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【2h】

Composition-Controlled Atomic Layer Deposition of Phase-Change Memories and Ovonic Threshold Switches with High Performance

机译：相变存储器的组成控制的原子层沉积和具有高性能的卵形阈值开关

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1. Composition-Controlled Atomic Layer Deposition of Phase-Change Memories and Ovonic Threshold Switches with High Performance [J] . Adinolfi Valerio, Cheng Lanxia, Laudato Mario, ACS nano . 2019,第9期

机译：相变存储器的组成控制原子层沉积和具有高性能的卵形阈值开关
2. Atomic Layer Deposition of GexSe1-x Thin Films for Endurable Ovonic Threshold Selectors with a Low Threshold Voltage [J] . Yoo Chanyoung, Kim Woohyun, Jeon Jeong Woo, ACS applied materials & interfaces . 2020,第20期

机译：Gexse1-x薄膜的原子层沉积，具有低阈值电压的耐能卵形阈值选择器
3. Atomic layer deposition of GeSe films using HGeCl3 and [(CH3)(3)Si](2)Se with the discrete feeding method for the ovonic threshold switch [J] . Kim Woohyun, Yoo Sijung, Yoo Chanyoung, Nanotechnology . 2018,第36期

机译：使用HGECL3和[（CH3）（3）Si]（2）SE具有用于卵形阈值开关的离散馈电方法的原子层沉积
4. Atomic Layer Deposition of Materials for Phase-Change Memories [C] . Markku Leskelae, Viljami Pore, Timo Hatanpaeae, Symposium on atomic layer deposition applications;Meeting of the Electrochemical Society . 2009

机译：相变存储材料的原子层沉积
5. Preparation of Silver Catalysts by Atomic Layer Deposition and Studies of Atomic Layer Deposition Reactions Using Operando Surface-Enhanced Raman Spectroscopy. [D] . Masango, Sicelo Simon. 2015

机译：通过原子层沉积制备银催化剂以及使用Operando表面增强拉曼光谱研究原子层沉积反应。
6. Performance improvement of phase-change memory cell using AlSb3Te and atomic layer deposition TiO2 buffer layer [O] . Sannian Song, Zhitang Song, Cheng Peng, 2013

机译：使用AlSb3Te和原子层沉积TiO2缓冲层的相变存储单元的性能改进
7. Atomic Layer Deposition of GexSe1x Thin Films for Endurable Ovonic Threshold Selectors with a Low Threshold Voltage [O] . -1

机译：Gexse1x薄膜的原子层沉积，用于具有低阈值电压的耐久性卵形阈值选择器
8. Effect of Atomic Layer Depositions (ALD)-Deposited Titanium Oxide (TiO2) Thickness on the Performance of Zr40Cu35Al15Ni10 (ZCAN)/TiO2/Indium (In)-Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Structures. [R] . Chin, M. L., Amani, M., O'Regan, T. P., 2015

机译：原子层沉积（aLD） - 沉积二氧化钛（TiO2）厚度对Zr40Cu35al15Ni10（ZCaN）/ TiO2 /铟（In）基电阻随机存取存储器（RRam）结构性能的影响。

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