机译:使用基于GaInN的多量子阱有源层的电子束激发激光器的演示
机译:使用基于GaInN的多量子阱有源层的电子束激发激光器的演示(第9卷的撤回,艺术编号101001,2016)
机译:GaN阱中具有AlGaN插入单层的GaN / AlGaN多量子阱的结构和光学性质
机译:用于电子束泵浦UV激光器的AlGaN / GaN异质结构的研制
机译:基于AlGaN的深紫色激光器中的光学增益和模态损耗=基于Algan的UVC激光二极管中的光学利润和模态损耗
机译:使用GaN / AlGaN多量子阱有源层演示在紫外线范围内的电子束激光激发
机译:AlGaN / GaN不对称分级索引独立的限制异性结构,专为电子束泵浦UV激光器而设计
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应