AI写作工具
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:Si晶体氧沉淀机制的第一原理计算(重浓度对氧气沉淀的影响)
Koji SUEOKA; Seiji SHIBA; Seishiro FUKUTANI;
机译:低氧浓度氮掺杂直拉硅单晶的氧析出特性
机译:重度掺杂硅晶体中的氧沉淀和改善的内部吸杂
机译:用第一性原理研究Y_2SiO_5原硅酸盐的单空位和透氧机理
机译:Czochralski硅的点缺陷行为,氧气降水和Cu吸收的第一原理计算
机译:大西洋飓风向热带过渡期间强降水的强迫机制。
机译:镁中氧位错相互作用的第一性原理计算
机译:快速热处理对重型砷和锑的氧气沉淀的影响掺杂Czochralski硅
机译:碳氧复合物作为Czochralski硅中氧沉淀的核。
机译:以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式,以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为
机译:预测硅单晶中氧的析出行为的方法,确定硅单晶生产参数的方法以及用于存储预测硅单晶中氧的析出行为的程序的存储介质
机译:预测单晶硅中的氧的析出行为的方法,确定硅单晶的生产参数的方法以及用于存储预测单晶硅中的氧的析出行为的程序的存储介质
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。