机译:通过多层原子层沉积(ALD)对无线微电子可植入小芯片进行共形气密密封
机译:通过原子层沉积(ALD)在3D金属支架上对高性能超级电极制备的高度保形和分层硫化锡(SNSX)的增强活性
机译:通过原子层沉积(ALD)共同地涂覆不同厚度的ZnO薄膜的棉织物的细菌生长和死亡
机译:用自组装单层(SAMS)的低k电介质(k = 2.0)的密封用于原子层沉积(ALD)的锡
机译:薄膜应用的分子工程:区域选择性原子层沉积(ALD)和分子原子层沉积(MALD)。
机译:通过在3D金属支架上通过原子层沉积(ALD)制备的高性能共形层状硫化锡(SnSx)对高性能超级电容器电极的活性增强
机译:通过原子层沉积(ALD)在3D金属支架上对高性能超级电极制备的高度保形和分层硫化锡(SNSX)的增强活性
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。