机译:GaAs / AL_(0.8)GA_(0.2)作为单独的吸收和倍增区域X射线光谱雪崩光电二极管
机译:基于Ingaas / Inalas / InP异质轴结构的雪崩光电二极管阵列,具有分离的吸收和乘法区
机译:InP-InGaAs雪崩光电二极管在单独的吸收,分级,电荷和倍增中的倍增
机译:谐振腔增强的GaAsSb雪崩光电二极管,具有分别在1300nm下工作的吸收,电荷和倍增区域
机译:具有高速和高带宽积的谐振腔分离吸收和倍增雪崩光电二极管
机译:等离子体场限制用于InGaAs纳米柱雪崩光电二极管中的单独吸收-倍增
机译:Ingaas Nanopillar雪崩光电二极管单独吸收乘法的等离子体场限制