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A Study on High Density Gate-Oxide Anti-Fuse PROM Memory Cell Program Features

机译：高密度栅极氧化物防熔丝奖励奖励电池节目功能的研究

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Keqin Yang; Suge Yue; Shijin Lu;
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年度 2016
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1. A Study on High Density Gate-Oxide Anti-Fuse PROM Memory Cell Program Features [J] . Keqin Yang, Suge Yue, Shijin Lu MATEC Web of Conferences . 2016,第1期

机译：高密度栅氧化物反熔丝PROM存储单元程序特性研究
2. Stimulation of the intracellular bacterial sensor NOD2 programs dendritic cells to promote interleukin-17 production in human memory T cells. [J] . van-Beelen AJ, Zelinkova Z, Taanman-Kueter EW, Immunity . 2007,第4期

机译：刺激细胞内细菌传感器NOD2对树突状细胞进行编程，以促进人类记忆T细胞中白介素17的产生。
3. High-Density FinFET One-Time Programmable Memory Cell With Intra-Fin-Cell-Isolation Technology [J] . Peng Ping Chun, Chen Yu-Zheng, Hsiao Woan Yun, Electron Device Letters, IEEE . 2015,第10期

机译：采用鳍内单元隔离技术的高密度FinFET一次性可编程存储单元
4. Reliability for Pure CMOS One-time Programmable Memory Using Gate-Oxide Anti-fuse (eFuse) [C] . Nobuyuki Wakai International Symposium for Testing and Failure Analysis . 2008

机译：使用栅极氧化物防保险丝（EFUSE）对纯CMOS一次性可编程存储器的可靠性
5. Cells Exhibiting Strong P16ink4a Promoter Activation in Vivo Display Features of Senescence [D] . Liu, Jie-Yu. 2019

机译：体内显示强P16ink4a促进激活的细胞显示衰老特征
6. Tsc1 promotes the differentiation of memory CD8+ T cells via orchestrating the transcriptional and metabolic programs [O] . Sharad Shrestha, Kai Yang, Jun Wei, 2014

机译：Tsc1通过协调转录和代谢程序来促进记忆CD8 + T细胞的分化
7. Stimulation of the intracellular bacterial sensor NOD2 programs dendritic cells to promote interleukin-17 production in human memory T cells [O] . van Beelen, Astrid J., Zelinkova, Zuzana, Taanman-Kueter, Esther W., 2007

机译：刺激细胞内细菌传感器NOD2对树突状细胞进行编程以促进人类记忆T细胞中白介素17的产生
8. Electrical Characterization of VLSI (Very Large Scale Integrated) RAMs (Random Access Memories) and PROMs (Programmable Random Access Memories) [R] . Barr, T., Hoang, T., Moyers, R., 1987

机译：VLsI（超大规模集成）Ram（随机存取存储器）和pROm（可编程随机存取存储器）的电气特性

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