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机译:通过压痕诱导的选择性蚀刻的硅纳米的站点控制的制造
Chenning Jin; Bingjun Yu; Xiaoxiao Liu; Chen Xiao; Hongbo Wang; Shulan Jiang; Jiang Wu; Huiyun Liu; Linmao Qian;
机译:通过压痕诱导的选择性刻蚀进行位置控制的硅纳米尖端的制造
机译:通过氯化铯自组装和干法刻蚀制备高纵横比硅纳米尖端阵列
机译:使用深度反应离子刻蚀制造可图案化的硅纳米尖端
机译:尖锐针:通过AC电化学蚀刻和激光增强蚀刻制造钨纳米,用于高级技术节点互连上的纳米侵入
机译:结晶碳化硅的反应离子刻蚀和碳化硅器件的制造。
机译:取向良好且超锐利的硅纳米尖端阵列的制备与表征
机译:通过氯化铯自组装和干法蚀刻制造具有高纵横比的硅纳米尖端阵列
机译:使用Si 1-x Sub> Ge x Sub>层的选择性刻蚀来制作无硅(SON)MOSFET
机译:使用选择性刻蚀Si1-xGex层的无硅(SON)MOSFET的制造
机译:位置选择和材料选择硅刻蚀以形成用于半导体制造的测量结构
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