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【2h】

Room Temperature and Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide on Various Materials Surface

机译：各种材料表面上碳化硅的室温和减压化学气相沉积

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Hitoshi Habuka; Asumi Hirooka; Kohei Shioda; Masaki Tsuji;
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年度 2014
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1. Room Temperature and Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide on Various Materials Surface [J] . Hitoshi Habuka, Asumi Hirooka, Kohei Shioda, Advances in Chemical Engineering and Science . 2014,第4期

机译：室温和减压化学气相沉积在各种材料表面上的碳化硅
2. Chemical vapor deposition of amorphous silicon carbide thin films on metal surfaces using monomethylsilane gas at low temperatures [J] . Habuka H., Tsuji M. Surface & Coatings Technology . 2013,第Null期

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3. Chemical vapor deposition of silicon carbide at various temperatures and surface area/volume ratios [J] . W. G. Zhang, K. J. Huttinger Journal de Physique, IV: Proceedings of International Conference . 2001,第3期

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4. Chemical vapor deposition of silicon carbide at various temperatures and surface area/volume ratios [C] . W.G. Zhang, K.J. Huettinger, Journal de Physique IV European conference on chemical vapor deposition . 2001

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6. Gas Permeation Property of Silicon Carbide Membranes Synthesized by Counter-Diffusion Chemical Vapor Deposition [O] . Takayuki Nagano, Koji Sato, Koichi Kawahara 2020

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