首页> 外文OA文献 >Gallium nitride based optoelectronic devices on silicon-on-insulator substrates

【2h】

Gallium nitride based optoelectronic devices on silicon-on-insulator substrates

机译：基于氮化镓在绝缘体衬底上的光电器件

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Kaixin Lin;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 -1
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Gallium-nitride-based materials for blue to ultraviolet optoelectronics devices [J] . Denbaars S.P. Proceedings of the IEEE . 1997,第11期

机译：氮化镓基材料，用于蓝光到紫外光电子器件
2. Evidence of optically induced degradation in gallium nitride optoelectronic devices [J] . De Santi Carlo, Caria Alessandro, Renso Nicola, Applied physics express . 2018,第11期

机译：氮化镓光电器件中光诱导降解的证据
3. Nanoscale Two-Bit/Cell NAND Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Devices Designed on Fully Depleted Silicon-on-Insulator Substrates [J] . Hyun Joo Kim, Joo Hyung You, Kae Dal Kwack, Japanese journal of applied physics . 2010,第9ISSUE1期

机译：在完全耗尽的绝缘体上硅衬底上设计的纳米级两比特/单元NAND氧化硅-氮化物-氧化硅硅器件
4. Gallium nitride-organic semiconductor heterojunctions for optoelectronic devices [C] . Quantum Electronics and Laser Science Conference;Conference on Lasers and Electro-Optics . 2006

机译：用于光电器件的氮化镓 - 有机半导体异质结
5. Growth and fabrication of gallium nitride and indium gallium nitride-based optoelectronic devices. [D] . Berkman, Erkan Acar. 2008

机译：氮化镓和氮化铟镓基光电器件的生长和制造。
6. Surface Preparation and Deposited Gate Oxides for Gallium Nitride Based Metal Oxide Semiconductor Devices [O] . Rathnait D. Long, Paul C. McIntyre 2012

机译：氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
7. Development of Cost-Effective Native Substrates for Gallium Nitride-Based Optoelectronic Devices via Ammonothermal Growth [O] . Tadao Hashimoto, Edward Letts 2011

机译：通过氨热生长研制用于氮化镓基光电器件的经济型天然基材
8. Gallium Nitride Optoelectronic Devices [R] . Chu, T. L., Chu, S. S. 1972

机译：氮化镓光电器件

Gallium nitride based optoelectronic devices on silicon-on-insulator substrates

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅