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【2h】

Effects of mechanical stress on the performance of metal-oxide-semiconductor transistors

机译：机械应力对金属氧化物半导体晶体管性能的影响

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Peizhen Yang;
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机译：Si_（1-x）Ge_x沟道和应力接触蚀刻停止层对纳米级n型金属氧化物半导体场效应晶体管的力学性能影响
2. Influence of uniaxial mechanical stress on the high frequency performance of metal-oxide-semiconductor field effect transistors on (100) Si wafer [J] . Younggun Han, Masaaki Koganemaru, Toru Ikeda, Applied Physicsletters . 2010,第21期

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3. Reproducing Subthreshold Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors under Shallow Trench Isolation Mechanical Stress Using a Stress-Dependent Diffusion Model [J] . Yi-Ming Sheu, Sheng-Jier Yang, Chih-Chiang Wang, Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters & Express Letters . 2006,第29a32期

机译：应力依赖扩散模型在浅沟槽隔离机械应力下重现金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值特性
4. Electrical stressed effects of metal-organic chemical vapor deposited high permittivity TiO/sub 2/ dielectric metal-oxide-semiconductor field effect transistors [C] . Hyeon-Seag Kim, Cambell, S.A. . 1997

机译：金属有机化学气相沉积高介电常数TiO / sub 2 /介电金属氧化物半导体场效应晶体管的电应力效应
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