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【2h】

Investigation on Tunneling-based Ternary CMOS with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Using TCAD Simulation

机译：使用TCAD仿真研究铁栅场效应晶体管隧道基三元CMOS研究

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作者
Kitae Lee; Sihyun Kim; Daewoong Kwon; Byung-Gook Park;
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年度 2020
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1. Problems With the Continuous Doping TCAD Simulations of Decananometer CMOS Transistors [J] . Asenov A., Adamu-Lema F., Wang X., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2014,第8期

机译：十米CMOS晶体管的连续掺杂TCAD模拟问题
2. A comparative TCAD simulations of a P-and N-type organic field effect transistors: field-dependent mobility, bulk and interface traps models [J] . A. Boubaker, B. Hafsi, K. Lmimouni, Journal of materials science . 2017,第11期

机译：P型和N型有机场效应晶体管的比较TCAD仿真：与场有关的迁移率，体积和界面陷阱模型
3. TCAD Simulations of graphene field-effect transistors based on the quantum capacitance effect [J] . Hafsi Bilel, Boubaker Aimen, Ismail Naoufel, Journal of the Korean Physical Society . 2015,第7期

机译：基于量子电容效应的石墨烯场效应晶体管的TCAD仿真
4. Preliminary 3D TCAD electro-thermal simulations of BIMOS transistor in thin silicon film for ESD protection in FDSOI UTBB CMOS technology [C] . Athanasiou S., Cristoloveanu S., Galy Ph International Conference on IC Design Technology . 2015

机译：FDSOI UTBB CMOS技术中用于ESD保护的薄膜中BIMOS晶体管的3D TCAD初步电热模拟
5. 'Junction-Level' Heterogeneous Integration of III-V Materials with Si CMOS for Novel Asymmetric Field-Effect Transistors. [D] . Chang, Yoon Jung. 2016

机译：III-V材料与Si CMOS的“结级”异质集成，用于新型非对称场效应晶体管。
6. Investigation of Monolithic 3D Integrated Circuit Inverter with Feedback Field Effect Transistors Using TCAD Simulation [O] . Jong Hyeok Oh, Yun Seop Yu 2020

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7. Spectroscopic investigation and simulation of the crystal field effect as well as paramagnetic behavior of K2La1−xPrxCl5 ternary chlorides [O] . Joanna Cybińska, Janina Legendziewicz, Jorma Hölsä, 2006

机译：K2LA1-XPRX5三元氯化物的光谱研究和晶体田间效应的仿真和仿真性

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