机译:大型压电系数与Janus Monolayer Xtei的高电子迁移率相结合(X = SB和BI):第一原理研究
机译:大型压电系数与Janus Monolayer XTEL的高电子迁移率相结合(X = SB和BI):一项研究
机译:Janus SB_2SE_2TE Monolayers的压电性:第一原理研究
机译:单层Janus MoSTe相的电子,振动,弹性和压电性质:第一性原理研究
机译:从未掺杂的Bi / sub 0.96 / Sb / sub 0.04 /合金中的电磁系数确定载流子迁移率和密度
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:从第一性原理计算得出六角形M2C3(M = AsSb和Bi)单层的热电性质
机译:单层Janus MOTEE阶段的电子,振动,弹性和压电性能:一项研究