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机译:不同沉积条件下TINI形状记忆合金薄膜的晶粒尺寸和相变行为
Joohyeon Bae; Hyunsuk Lee; Duckhyeon Seo; Sangdu Yun; Jeonghyeon Yang; Sunchul Huh; Hyomin Jeong; Jungpil Noh;
机译:纳米TiNi薄膜中B2-R马氏体转变行为的厚度和晶粒尺寸依赖性
机译:共溅射沉积制备的TiNi薄膜的马氏体相变
机译:TiNi薄膜的不完全相变行为研究
机译:Heusler型单晶铁磁形状记忆薄膜的分子束外延生长和相变行为。
机译:通过sILaR沉积工艺合成氢氧化镉转化为氧化镉薄膜:不同沉积循环的作用
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机译:一种测定金属材料的淬透性和相变行为以及晶粒度的方法
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