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Pore Sealing for Low-k Delectric Integration into Integrated Circuits

机译：低k商程集成到集成电路中的孔密封

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1. Optimization and upscaling of spin coating with organosilane monolayers for low-k pore sealing [J] . Sun Yiting, Negreira Ainhoa Romo, Meersschaut Johan, Microelectronic Engineering . 2017,第JANa期

机译：用于低k孔密封的有机硅烷单层旋涂的优化和放大
2. Study of Low-k Film Functionalization and Pore Sealing Using Chlorosilanes Dissolved in Supercritical Carbon Dioxide [J] . Vyhmeister Eduardo, Reyes-Bozo Lorenzo, Rodriguez-Maecker Roman, Chemical Engineering Communications . 2016,第7a9期

机译：利用超临界二氧化碳中溶解的氯硅烷进行低k膜功能化和孔密封的研究
3. Method of sealing pores in porous low-k SiOC(-H) films fabricated using plasma-assisted atomic layer deposition [J] . Kim C.Y., Lee H.S., Choi C.K., Journal of the Korean Physical Society . 2013,第8期

机译：密封等离子体辅助原子层沉积制备的多孔低k SiOC（-H）薄膜中的孔的方法
4. Breakthrough Integration of 32nm-node CulCntra Low-k SiOC (k=2.0) Interconnects by using Advanced Pore-Sealing and Low-k Hard Mask Technologies [C] . Arakawa S., Mizuno I., Ohoka Y., Interconnect Technology Conference, 2006 International . 2006

机译：通过使用先进的孔密封和Low-k硬掩模技术，突破性地集成了32nm节点的CulCntra Low-k SiOC（k = 2.0）互连
5. Heterogeneous Integration and Multilayer Platform for Photonic Integrated Circuits [D] . Shang, Kuanping. 2017

机译：光子集成电路的异构集成和多层平台
6. Material design of plasma-enhanced chemical vapour deposition SiCH films for low-k cap layers in the further scaling of ultra-large-scale integrated devices-Cu interconnects [O] . Hideharu Shimizu, Shuji Nagano, Akira Uedono, 2013

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7. The transition to Cu, damascene and low-K dielectrics for integrated circuit interconnects, impacts on the industry. [O] . Kenneth A. Monnig 2001

机译：过渡到Cu，镶嵌和低k电介质用于集成电路互连，对工业的影响。
8. ChipSeal Inorganic Sealing Technology for Hermetic-Like Integrated Circuits. Volume 1. [R] . Camilletti, R., Loboda, M., McCoy, L. 2000

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