机译:CsI:Tl,Sm闪烁材料中余辉抑制的隧穿模型
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机译:Tl $ ^ {+} $和Sm $ ^ {2 +} $浓度对CsI:Tl,Sm晶体余辉抑制的影响
机译:后生长热处理对白天诱导着色和CSI中的含水缺陷透露的晶体缺陷的影响:TL闪烁体
机译:闪烁体材料,硅纳米桥和MuGFET的第一性原理和经验模型。
机译:隧道模型余辉抑制CsI中:TLsm闪烁材料
机译:CsI:Tl ^ +,Yb ^(2+):余辉降低的超高产量闪烁体