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【2h】

A 28 GHz Static CML Frequency Divider with Back-Gate Tuning on 22-nm CMOS FD-SOI Technology

机译：A 28 GHz静态CML分频器，具有22-NM CMOS FD-SOI技术的后门调谐

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Mikko Hietanen; Janne Aikio; Rehman Akbar; Timo Rahkonen; Aarno Parssinen;
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年度 2019
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1. A 1.7-dB Minimum NF, 22–32-GHz Low-Noise Feedback Amplifier With Multistage Noise Matching in 22-nm FD-SOI CMOS [J] . Cui Bolun, Long John R. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2020,第5期

机译：具有22-NM FD-SOI CMOS中多级噪声匹配的1.7 dB最小NF，22-32-GHz低噪声反馈放大器
2. Static noise margin trade-offs for 6T-SRAM cell sizing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology [J] . Olivera Fabian, Petraglia Antonio Microelectronics journal . 2018,第AUGa期

机译：采用28 nm UTBB FD-SOI CMOS技术的6T-SRAM单元尺寸的静态噪声裕度折衷
3. 0.3a??4.4 GHz wideband CMOS frequency divide-by-1.5 with optimized CML-XOR gate [J] . Hua Chen, Guiliang Guo, Qiangtao Lai, IEICE Electronics Express . 2017,第12期

机译：具有优化的CML-XOR门的0.3a ?? 4.4 GHz宽带CMOS分频比1.5
4. A 28 GHz Static CML Frequency Divider with Back-Gate Tuning on 22-nm CMOS FD-SOI Technology [C] . Mikko Hietanen, Janne Aikio, Rehman Akbar, IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems . 2019

机译：具有基于22nm CMOS FD-SOI技术的后门调谐功能的28 GHz静态CML分频器
5. Design of a CMOS VCO and frequency divider for 5 GHz applications. [D] . Shylendra, Prithvi. 2006

机译：用于5 GHz应用的CMOS VCO和分频器的设计。
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机译：使用I3T25 CMOS技术开发的有源元件设计信号发生器用于单路IC封装实现照度到频率的转换
7. Full Swing 20 GHz Frequency Divider with 1 V Supply Voltage in FD-SOI 28 nm Technology [O] . Hasene Gulperi Ozsema, Duygu Kostak, Tugba Demirci, 2016

机译：采用FD-sOI 28 nm技术的全摆幅20 GHz分频器，1 V电源电压
8. Power Efficient 26-GHz 32:1 Static Frequency Divider in 130-nm Bulk CMOS [R] . Cao, C. , O, K. K. 2005

机译：功率高效的26-GHz 32：1静态分频器，采用130-nm Bulk CmOs封装

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