机译:具有异步双字线控制的单位线8T SRAM单元,用于位交错的超低压操作
机译:具有超低写入位线电压摆幅的超低功耗读解耦SRAM
机译:一种新颖的低功耗8T SRAM单元设计,采用上下自控电压电平技术(采用45 nm技术)
机译:使用20nm Finfet技术设计低功耗和高速应用的AAM 6T-SRAM单元电源电压变化
机译:面向未来超低功耗微电子的新型8-T CNFET SRAM单元设计。
机译:使用全NMOS电源开关和超低静态电流控制器的高压能量收集接口用于物联网系统中不规则的动能收集改进了1365%
机译:使用8T SRAM单元方法设计和验证低功耗SRAM