机译:在升高的温度下采用65nm体CMOS技术在nMOS和pMOS晶体管中进行单事件瞬态测量
机译:温度对高压(> 30 V)互补SiGe-on-SOI技术的单事件瞬态响应的影响
机译:温度引起的静态工作点偏移对模拟/混合信号电路中单事件瞬态灵敏度的影响
机译:低功耗应用中的单事件双翻转自恢复和单事件瞬态脉冲可滤波锁存器设计
机译:辐射探测器系统中的低噪声,低功耗前端读出电路设计。
机译:单片CMOS传感器平台具有9216碳纳米管传感器元件阵列以及低噪声宽带和宽动态范围读出电路
机译:增强低剂量率灵敏度对LM158双极运算放大器单事件瞬态降解的影响