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【2h】

Erratum: Steady‐state recombination in semiconductors containing two or more trapping levels

机译：错误：含有两个或更多个诱捕水平的半导体中的稳态重组

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O. L. Curtis; J. R. Srour;
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年度 1975
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1. Erratum: Steady‐state recombination in semiconductors containing two or more trapping levels [J] . Journal of Applied Physics . 1975,第5期

机译：勘误：包含两个或多个陷阱能级的半导体中的稳态复合
2. Recombination instabilities in semiconductors doped with deep two‐level traps [J] . Antognetti P., Chiabrera A., Ridella S. Journal of Applied Physics . 1972,第11期

机译：掺杂深两能级陷阱的半导体中的重组不稳定性
3. STOCHASTIC ANALYSIS OF MULTIPLE-LEVEL RECOMBINATION LUMINESCENCE AND RETRAPPING IN THE STEADY STATE [J] . Swandic JR. Physical Review, B. Condensed Matter . 1996,第5期

机译：稳态多级重组发光和捕获的随机分析
4. Extraction of interface and border traps in beyond-Si devices by accounting for generation and recombination in the semiconductor [C] . Gabriele Sereni, Luca Larcher IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report . 2015

机译：通过考虑半导体中的生成和复合来提取超越硅器件中的界面陷阱和边界陷阱
5. Deep-level transient spectroscopy (DLTS) for the determination of trap parameters in semiconductor devices [D] . Kuang, Li-chao 1997

机译：用于确定半导体器件中陷阱参数的深层瞬态光谱法（DLTS）
6. Erratum: Increase in Anti-Gal IgM Level is Associated With Early Graft Failure in Intraportal Porcine Islet Xenotransplantation [O] . 2016

机译：勘误：在门静脉猪胰岛异种移植中抗Gal IgM水平增加与早期移植失败有关。
7. Erratum: Transient Double Injection in Semiconductors with Traps [O] . R. H. Dean 1970

机译：错误：带陷阱的半导体瞬态双注射
8. Digital Deep Level Transient Spectroscopy Considered for Discrimination of Traps Closely Spaced in Emission Coefficients in Semiconductors [R] . Kim, H. K., Schlesinger, T. E., Milnes, A. G. 1988

机译：数字深能级瞬态光谱法考虑识别半导体发射系数中的陷阱

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