机译:非合金PDGE欧姆接触的应用自对准栅极藻类/ INGAAS假形高电子迁移率晶体管
机译:以液相氧化的AlGaAs作为栅介质的AlGaAs / InGaAs金属氧化物半导体假晶高电子迁移率晶体管
机译:聚焦离子束注入制备的横向门控AlGaAs / InGaAs伪形高电子迁移率晶体管的亚阈值特性
机译:低温液相沉积Al_2O_3栅绝缘体的AlGaAs / InGaAs金属氧化物半导体假晶高电子迁移率晶体管
机译:离子注入的新型高性能WSi栅自对准N-AlGaAs / InGaAs / N-AlGaAs伪晶双异质结MODFET
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:掺Si的双面非合金欧姆接触等离子体电子器件的砷化镓
机译:fT为200 GHz的50nm T门AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的毫米波性能
机译:使用渐变InGaas帽层的Gaas具有良好形态的非合金和合金低电阻欧姆接触