机译:通过金属有机化学气相沉积在中远红外(5-50μm)范围内生长的n掺杂Ga_(1-x)Mn_xN外延层的光学特性
机译:有机金属气相外延生长Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)外延层中As和P的热力学模型
机译:InP衬底上OMVPE生长的AlGaAsSb外延层的光电特性
机译:(GaIn)As和InP块状外延层的特性。 (GaIn)As / InP-异质结构和通过使用替代来源二叔丁基--s和二叔丁基膦生长的引脚检测器结构
机译:通过等离子体增强的金属有机化学气相沉积法制得的锶钛氧化物和钡(1-x)锶钛氧化物外延薄膜。
机译:缓冲剂类型对InP(100)衬底上生长的In0.82Ga0.18As外延层的影响
机译:由具有外延生长层的CST方法和MESFET器件的CST方法和电学性质的P型4H-SiC(0001)的外延层生长
机译:Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(X)sb(1-X)的表面形貌和电学特性