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【2h】

Atomic Layer Etching of Silicon Using a Ar Neutral Beam of Low Energy

机译：使用AR中性低能量束硅层蚀刻硅

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作者
Chang-Kwon Oh; Sang-Duk Park; Geun-Young Yeom;
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年度 2006
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1. Low Damage Atomic Layer Etching of ZrO_2 by Using BCl_3 Gas and Ar Neutral Beam [J] . W. S. Lim, J. B. Park, J. Y. Park, Journal of nanoscience and nanotechnology . 2009,第12期

机译：BCl_3气体和Ar中性束对ZrO_2的低损伤原子层刻蚀
2. Low Damage Atomic Layer Etching of ZrO_2 by Using BCl_3 Gas and Ar Neutral Beam [J] . W. S. Lim, J. B. Park, J. Y. Park, Journal of nanoscience and nanotechnology . 2009,第12期

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3. Precise depth control and low-damage atomic-layer etching of HfO2 using BCl3 and Ar neutral beam [J] . Park SD, Lim WS, Park BJ, Electrochemical and solid-state letters . 2008,第4期

机译：使用BCl3和Ar中性束对HfO2进行精确的深度控制和低损原子层刻蚀
4. Atomic layer etching of silicon by using a low-angle forward reflected ar neutral beam [C] . Park S.D., Oh C.K., Yeom G.Y. IEEE International Conference on Plasma Science . 2006

机译：通过使用低角度向前反射AR中性光束来硅的原子层蚀刻
5. Anisotropic etching of polymer films by high energy (approximately 100s of eV) oxygen atom neutral beams [D] . Panda, Siddhartha 1999

机译：高能（约100s eV）氧原子中性束对聚合物膜的各向异性刻蚀
6. Generation of high photocurrent in three-dimensional silicon quantum dot superlattice fabricated by combining bio-template and neutral beam etching for quantum dot solar cells [O] . Makoto Igarashi, Weiguo Hu, Mohammad Maksudur Rahman, 2013

机译：生物模板与中性束刻蚀相结合制造的三维硅量子点超晶格中高光电流的产生
7. Hydrogen Plasma Exposure of Polymethylmethacrylate and Etching by Low Energy Ar+ Ion Beam [O] . Satoru YOSHIMURA, Kazumasa IKUSE, Satoshi SUGIMOTO, 2013

机译：低能量Ar +离子束的聚甲基丙烯酸甲酯和蚀刻的氢等离子体暴露

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