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【2h】

Secondary ion mass spectrometry investigation of carbon grain formation in boron nitride epitaxial layers with atomic depth resolution

机译：用原子深度分辨率氮化硼外延层碳籽粒形成的二次离子质谱研究

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Paweł Piotr Michałowski; Piotr Caban; Jacek Baranowski;
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年度 2019
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1. Secondary ion mass spectrometry investigation of carbon grain formation in boron nitride epitaxial layers with atomic depth resolution [J] . Michalowski Pawel Piotr, Caban Piotr, Baranowski Jacek Journal of Analytical Atomic Spectrometry . 2019,第5期

机译：原子深度分辨率二次离子质谱研究氮化硼外延层中碳晶粒的形成
2. Investigation of boron penetration through decoupled plasma nitrided gate oxide using backside secondary ion mass spectrometry depth profiling [J] . K. L. Yeo, A. T. S. Wee, R. Liu, Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics Processing and Phenomena . 2003,第1期

机译：利用背面二次离子质谱深度分析研究硼通过解耦等离子体氮化栅氧化物的渗透
3. Multilayer thin-film coatings based on chromium nitride and aluminum nitride: Comparative depth profiling by secondary ion mass spectrometry and glow-discharge optical emission spectrometry [J] . Tolstoguzov A.B. Journal of analytical chemistry . 2010,第13期

机译：基于氮化铬和氮化铝的多层薄膜涂层：二次离子质谱和辉光放电光发射光谱的深度比较
4. Investigation of the dopant distribution in thin epitaxial silicon layers by means of spreading resistance probe and secondary ion mass spectrometry [C] . Ilya Karpov, Catherine Hartford, Greg Moran, Symposium on electrically based microstructural characterization . 1998

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