机译:深度亚微米通常关闭AlGaN / GaN MOSFET在硅上,V T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T T Th> 0.5 A mm -1
机译:V_(TH)> 5V且导通电流> 0.5 Amm〜(-1)的硅上的深亚微米常关AlGaN / GaN MOSFET
机译:硅基衬底上的AlGaN / GaN HEMT中的深能级通过电流深能级瞬态光谱学表征
机译:具有
机译:硅和蓝宝石衬底上的AlGaN / GaN HEMT的当前不稳定性和深层研究
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:从液氦到室温的深亚微米硅mOsFET中饱和速度超调的研究