机译:热退火分析低剂量中子辐照引起的氮化硅基陶瓷缺陷的恢复过程
机译:1400℃以下等温退火对α-SiC中中子辐照缺陷恢复过程的分析
机译:快速重离子诱导的瞬态热过程:Fe和Ni中的缺陷退火和缺陷产生
机译:在Libaf_3crystals中热刺激的离子和电子过程和辐射诱导的缺陷退火
机译:电场对磷化铟半导体结中稳定的辐射诱导缺陷的形成和退火的影响。
机译:通过水热法生长的Ce掺杂的ZnO纳米棒的可见发射无需后热退火过程
机译:通过氢和氦注入以及随后的退火在硅中引入辐射缺陷和热供体
机译:辐照诱导缺陷产生和退火过程机理的计算机实验研究。总结报告