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【2h】

On the Baliga’s Figure-Of-Merits (BFOM) Enhancement of a Novel GaN Nano-Pillar Vertical Field Effect Transistor (FET) with 2DEG Channel and Patterned Substrate

机译：在BALIGA的典型典型（BFOM）上用2DEG通道和图案化基板提高新型GAN纳米支柱垂直场效应晶体管（FET）

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作者
Zeheng Wang; Zirui Wang; Zhenwei Zhang; Di Yang; Yuanzhe Yao;
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年度 2019
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