机译:在BALIGA的典型典型(BFOM)上用2DEG通道和图案化基板提高新型GAN纳米支柱垂直场效应晶体管(FET)
机译:在Baliga的品质因数(BFOM)上增强了具有2DEG通道和图案化衬底的新型GaN纳米柱垂直场效应晶体管(FET)
机译:新型PEALD-AlN / LPCVD-Si 3 晶体管的823-mA / mm漏电流密度和945-MW / cm 2 Baliga的品质因数增强型GaN MISFET > N 4 双栅介质
机译:在GaN基板上具有重新生长的AlGaN / GaN二维电子气通道的新型垂直异质结场效应晶体管
机译:具有变形通道和衬底类型的A1gan / GaN异质结构结构晶体管(HFET)的表征
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:热声子寿命对块状GaN衬底上的InAlN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子速度的影响