机译:使用不同生长温度的迁移增强外延生长的INP / INGAP量子结构的发光性质
机译:迁移增强外延生长的GaAsBi基结构中的铋量子点和强红外光致发光
机译:InGaP隔离层对InP / InGaP量子结构的发光性能的影响
机译:以多晶InP为磷源,通过迁移增强外延生长的InP的性质
机译:分子束外延生长掺杂杂质的ZnSe层的光致发光和电学性质
机译:通过分子束外延在Si(100)上生长的GaAs / GaInAs核-多量子阱壳纳米线结构的室温光致发光的观察和可调性
机译:迁移增强外延的INP / INGAP量子结构的光学特性,具有不同的生长循环
机译:最佳生长条件下分子束外延生长的III-V量子阱结构传输和光学性质的实验研究