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机译:基于表面活化晶圆粘合技术制造的远红外围网型近型探测器的评价
Misaki Hanaoka; Hidehiro Kaneda; Shinki Oyabu; Yasuki Hattori; Kotomi Tanaka; Sota Ukai; Kazuyuki Shichi; Takehiko Wada; Toyoaki Suzuki; Kentaroh Watanabe; Koichi Nagase; Shunsuke Baba; Chihiro Kochi;
机译:表面活化晶片键合法制备的远红外天文学中的杂质带状Ge探测器的开发
机译:表面活化晶圆键合制备的锗p〜+ -i结器件在1.8 K时的电和光电导性能
机译:表面活化晶圆键合技术键合的Ge / Ge界面的显微学和电学性质
机译:结合表面活化键合(SAB)技术的低温晶圆键合新方法
机译:通过晶片键合技术制造的异质结构集成III-V半导体。
机译:用低成本硅片制造的门控硅漂移检测器
机译:使用表面活性粘合法在环境空气中具有光滑Au薄膜的晶片室温粘合
机译:通过使用引线键合技术制造晶片凸块的方法以及具有使用该晶片凸块的晶片凸块的晶片芯片规模封装结构
机译:评价纳米断层照相术的参考晶片,制造相同晶片的方法以及使用晶片的晶片评价方法
机译:引线键合技术在晶圆凸块,晶圆级芯片级封装结构上的应用及其制造方法
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