首页> 外文OA文献 >Graphene Oxide as a Dielectric and Charge Trap Element in Pentacene-Based Organic Thin-Film Transistors for Nonvolatile Memory
【2h】

Graphene Oxide as a Dielectric and Charge Trap Element in Pentacene-Based Organic Thin-Film Transistors for Nonvolatile Memory

机译:石墨烯氧化物作为介电和电荷捕集元件,其基于五烯基有机薄膜晶体管,用于非易失性存储器

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