首页> 外文OA文献 >Configurable Circuits Featuring Dual-Threshold-Voltage Design With Three-Independent-Gate Silicon Nanowire FETs

【2h】

Configurable Circuits Featuring Dual-Threshold-Voltage Design With Three-Independent-Gate Silicon Nanowire FETs

机译：可配置电路以双阈值电压设计为特色，具有三个独立栅极硅纳米线FET

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Jian Zhang; Xifan Tang; Pierre-Emmanuel Gaillardon; Giovanni De Micheli;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Configurable Circuits Featuring Dual-Threshold-Voltage Design With Three-Independent-Gate Silicon Nanowire FETs [J] . Zhang J., Tang X., Gaillardon P.-E., Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE Transactions on . 2014,第10期

机译：具有双阈值电压设计和三独立栅极硅纳米线FET的可配置电路
2. Configurable Logic Gates Using Polarity-Controlled Silicon Nanowire Gate-All-Around FETs [J] . Marchi M.D., Zhang J., Frache S., Electron Device Letters, IEEE . 2014,第8期

机译：使用极性控制的硅纳米线全能FET的可配置逻辑门
3. A Compact Model of Silicon-Based Nanowire MOSFETs for Circuit Simulation and Design [J] . Jie Yang, Jin He, Feng Liu, IEEE Transactions on Electron Devices . 2008,第11期

机译：用于电路仿真和设计的硅基纳米线MOSFET的紧凑模型
4. Dual-threshold-voltage configurable circuits with three-independent-gate silicon nanowire FETs [C] . Zhang Jian, Gaillardon Pierre-Emmanuel, De Micheli Giovanni IEEE International Symposium on Circuits and Systems . 2013

机译：具有三独立栅极硅纳米线FET的双阈值电压可配置电路
5. ANALYSIS AND DESIGN OF NOVEL SEMICONDUCTOR DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS (GALLIUM-ARSENIDE MESFET, IC SIMULATION, MODFET, THIN FILM TRANSISTOR, AMORPHOUS SILICON). [D] . HYUN, CHOONG HO. 1985

机译：新型半导体器件和集成电路（砷化镓MESFET，IC模拟，MODFET，薄膜晶体管，非晶硅）的分析和设计。
6. Fabrication of Low Cost and Low Temperature Poly-Silicon Nanowire Sensor Arrays for Monolithic Three-Dimensional Integrated Circuits Applications [O] . Siqi Tang, Jiang Yan, Jing Zhang, 2020

机译：用于单片三维集成电路应用的低成本和低温多晶硅纳米线传感器阵列的制造
7. Dual-Threshold-Voltage Configurable Circuits with Three-Independent-Gate Silicon Nanowire FETs [O] . Jian Zhang, Pierre-emmanuel Gaillardon, Giovanni De Micheli 2013

机译：具有三个独立栅极硅纳米线FET的双阈值电压可配置电路

Configurable Circuits Featuring Dual-Threshold-Voltage Design With Three-Independent-Gate Silicon Nanowire FETs

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅