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Analysis and modeling for random telegraph noise of GIDL current in saddle MOSFET for DRAM application

机译：DRAM应用马鞍MOSFET中GIDL电流随机电报噪声的分析与建模

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Dyukyoung Moon; Hyunseul Lee; Changhwan Shin; Hyungcheol Shin;
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年度 2014
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1. Analysis and modeling for random telegraph noise of GIDL current in saddle MOSFET for DRAM application [J] . Changhwan Shin, Dyukyoung Moon, Hyungcheol Shin, IEICE Electronics Express . 2014,第13期

机译：DRAM应用鞍型MOSFET中GIDL电流随机电报噪声的分析与建模
2. Dependence on an oxide trap's location of random telegraph noise (RTN) in GIDL current of n-MOSFET [J] . Quan Nguyen Gia, Sung-Won Yoo, Hyunseul Lee, Solid-State Electronics . 2014,第feba期

机译：取决于n-MOSFET的GIDL电流中氧化物陷阱的随机电报噪声（RTN）的位置
3. Static Analysis of Random Telegraph Noise in a 45-nm Channel Length Conventional MOSFET Device: Threshold Voltage and ON-Current Fluctuations [J] . Ashraf N., Vasileska D. Nanotechnology, IEEE Transactions on . 2011,第6期

机译：45纳米沟道长度常规MOSFET器件中随机电报噪声的静态分析：阈值电压和导通电流波动
4. Observation of three-level random telegraph noise in GIDL current of Saddle-Fin type DRAM cell transistor [C] . Oh Byoungchan, Cho Heung-Jae, Kim Heesang, IEEE International Memory Workshop . 2010

机译：鞍形DRAM单元晶体管的GIDL电流中的三电平随机电报噪声的观察
5. Noise characterization and modeling of MOSFETs for RF IC applications. [D] . Chen, Chih-Hung. 2002

机译：用于RF IC应用的MOSFET的噪声表征和建模。
6. Modeling of electron conduction in contact resistive random access memory devices as random telegraph noise [O] . Yuan Heng Tseng, Wen Chao Shen, Chrong Jung Lin -1

机译：接触电阻式随机存取存储设备中的电子传导建模为随机电报噪声
7. Investigation on the Amplitude of Random Telegraph Noise (RTN) in Nanoscale MOSFETs: Scaling Limit of “Hole in the Inversion Layer” Model [O] . Zhang Zexuan, Zhang Zhe, Guo Shaofeng, 2016

机译：纳米mOsFET中随机电报噪声（RTN）幅度的研究：“反转层中的空穴”模型的缩放极限

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