机译:错误:“深度解析的超紫光光度光电流 - 电压测量,用于分析AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管倒置的Si”Appl。物理。吧。 105,172105(2014)
机译:深度分辨紫外光谱光电流-电压测量,用于分析沉积在Si上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管外延层
机译:评论“确定GaN / Si系统中多个AlGaN缓冲层中的合金成分和应变” [Appl。物理来吧105,232113(2014)]
机译:勘误表:“根据太赫兹透射和反射测量,银纳米线-石墨烯杂化膜的电学特性” [附录1。物理来吧105,011101(2014)]
机译:发光显微镜对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性评估和失效分析
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:勘误表:使用基于氮化镓的高电子迁移率晶体管进行的激酶检测物理来吧103013701(2013)
机译:错误:“使用H-BN的基板转印技术”抑制AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的自热效应“Appl。物理。吧。 105,193509(2014)
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。