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Erratum: “Dependence of the Mg-related acceptor ionization energy with the acceptor concentration in p-type GaN layers grown by molecular beam epitaxy” Appl. Phys. Lett. 103, 032102 (2013)

机译：错误：“MG相关受体电离能量与分子束外延生长的p型GaN层中受体浓度”苹果酱。物理。吧。 103,032102（2013）

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Stéphane Brochen; Julien Brault; Sébastien Chenot; Amélie Dussaigne; Mathieu Leroux; Benjamin Damilano;
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年度 2013
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